Часто встречаются следующие неисправности транзисторов – обрыв одного из переходов, пробой одного из переходов, пробой или утечка под напряжением участка эмиттер – коллектор. Внешние признаки, указывающими на возможный выход из строя мощного транзистора, является почернение корпуса, вздутие.

   Для проверки неисправности транзистора используется омметр. Плюсовой вывод омметра подключается к базе, а минусовой – сначала к эмиттеру, затем к коллектору. Если этот транзистор n-p-n структуры, сопротивление должно быть малым.  После этого к базе подключается минусовой вывод омметра, а к выводам эмиттера и коллектора подключается плюсовой. Сопротивление переходов должно быть большим. Теперь щупы омметра подключаются к переходам коллектор – эмиттер и эмиттер – коллектор. Сопротивление переходов должно быть большим. Транзисторы p-n-p структуры проверяются аналогично, но показания омметра будут обратными. При помощи этих измерений можно определить тип проводимости и расположение выводов транзистора.

   Проверка омметром не позволяет выявить утечку под напряжением. При проверке без выпаивания необходимо помнить, что переходы транзистора шунтируются элементами телевизора. На усилительные свойства транзистора влияют емкости разделительных и блокировочных конденсаторов. Если по какой либо причине транзистор начинает работать на более высокой частоте, мощность возрастает, транзистор начинает греться  и по этой причине может выйти из строя. Поэтому в выходные каскады, работающие в импульсном режиме, нельзя устанавливать транзисторы менее высокочастотные, чем это предусматривается в принципиальной схеме.

   Для улучшения охлаждения  транзисторы устанавливаются на радиаторы, контактная поверхность которых должна быть без шероховатостей и чистой.  Контактные поверхности необходимо смазывать с обеих сторон теплопроводящей пастой КТП-8.

   К радиатору транзистор необходимо крепить с достаточной силой с равномерной затяжкой. После замены транзистора телевизор включается и проверяется температура поверхности транзистора.